بازدیدکنندگان محترم لطفا بدلیل نوسانات بازار قبل از نهایی کردن سفارش خود با فروشگاه تماس حاصل فرمایید.

حافظه رم کینگستون مدل 4GB KVR DDR3 1600MHz

حافظه رم کینگستون مدل 4GB KVR DDR3 1600MHz

حافظه رم کینگستون مدل 4GB KVR DDR3 1600MHz

ماژول حافظه ValueRAM’s 512M x 64-bit، چهار گیگابایتی DDR3 با فرکانس ۱۶۰۰ و زمانبندی حافظه CL11 برمبنای هشت کامپوننت FBGA 512 مگابایتی* ۸ بیت است.

مقایسه

توضیحات

رم یک نوع محل ذخیره‌سازی اطلاعات است که به کمک آن می‌توان به اطلاعات در هر زمانی بدون در نظر گرفتن موقعیت فیزیکی و ترتیب آن‌ها و به‌ سرعت دسترسی داشت و به همین دلیل است که سرعت و ظرفیت رم تأثیر زیادی بر روی سرعت سیستم‌های کامپیوتری دارد و این تأثیر در اجرای نرم ‌افزارهای سنگین، انجام بازی و … خواهد داشت.

حافظه رم کینگستون مدل 4GB KVR DDR3 1600MHz

RAM KingSton 4GB KVR DDR3 1600MHz

در این بخش فروشگاه پرسنتا قصد دارد به معرفی حافظه رم ۴ گیگ DDR3 کینگسون بپردازد – ماژول حافظه ValueRAM’s 512M x 64-bit، چهار گیگابایتی DDR3 با فرکانس ۱۶۰۰ و زمانبندی حافظه CL11 برمبنای هشت کامپوننت FBGA 512 مگابایتی* ۸ بیت است. SPD برای تاخیر استاندارد JEDEC  ماژول DDR3 با فرکانس ۱۶۰۰ با تایمینگ ۱۱-۱۱-۱۱ در ۱٫۵ ولت برنامه نویسی شده است. این رم کینگسون ۲۴۰ سوکت حافظه DIMM را برای زبانه اتصال طلایی استفاده می کند. اگر شما علاقمند به دانستن تفاوت بین حافظه های DDR,DDR2 و DDR3 هستید آموزش ما را که در این مورد است بخوانید.

ویژگی های رم کینگسون DDR3

رم کینگسون DDR3 مدل جدید رم های قدرتمند شرکت کینگسون می باشد که در مقایسه با رم های DDR2 از سرعت بسیار بالایی برخوردار است. از مهمترین ویژگی های این مدل می توان به موارد زیر اشاره کرد:

  • منبع تغذیه JEDEC استاندارد نوع ۱٫۵ ولت (۱٫۴۲۵ ولت ~ ۱٫۵۷۵ ولت)
  • VDDQ نوع ۱٫۵ ولتی (۱٫۴۲۵ ولت ~  ۱٫۵۷۵ ولت)
  • ۸۰۰ مگاهرتز fCK برای ۱۶۰۰ مگابیت/ثانیه/پین
  • ۸ بانک داده داخلی مستقل
  • تاخیر CAS قابل برنامه ریزی: ۱۱، ۱۰، ۹، ۸، ۷، ۶
  • تاخیر افزایشی قابل برنامه نویسی: ۰,CL -2 یا CL-1 کلاک
  • ۸ بیت Dual
  • Burst Length : هشت ( فاصله زمانی بدون هیچ محدودیتی، با شروع متوالی از آدرس ۰۰۰)، ۴ با tCCD=4 که خواندن و نوشتن یکپارچه را اجازه نمی دهد (در توپولوژی fly یا از A12 استفاده می کند و یا از MRS استفاده می کند)
  • پشتیبانی از Dual channel
  • کالیبراسیون داخلی، کالیبراسیون خودکار داخلی از طریق پین ZQ( RZQ: 240 اهم  ۱ درصد)
  • ODT پویا و نرمال برای پوشاندن سیگنال ها و داده، راه انداز
  • میانگین دوره بروزرسانی ۷٫۸ میکروثانیه در کمتر از TCASE 85°C، ۳٫۹ میکرو ثانیه در ۸۵°C < TCASE < 95°Cº
  • بازنشانی آسنکرون یا غیرهمگام
  • PCB: ارتفاع ۰٫۷۴۰ (۱۸٫۷۵ میلی متر) یا ۱٫۱۸۰ ( ۳۰٫۰۰ میلی متر)

از مهمترین ویژگی های این مدل می توان به موارد زیر اشاره کرد. چنانچه با اصطلاحات این جدول آشنایی ندارید پیشنهاد می کنیم مقاله تمام آنچه که باید در مورد تایمینگ رم بدانیم! را مطالعه بفرمایید.

(CL(IDD

۱۱ سیکل

(Row Cycle Time (tRCmin

حداقل ۴۸٫۱۲۵ نانوثانیه

Refresh to Active/Refresh Command Time 1x mode

(tRFCmin)

حداقل ۲۶۰ نانوثانیه

Row Active Time

(tRASmin)

حداقل ۳۵ نانوثانیه

Maximum Operationg Power

TBD W*

UL Rating

۹۴- ۰

Operating Temperature

۰-۸۵

Storage

-۵۵C to +100 C

*قدرت خیلی وابسته به SDRAM استفاده شده است.

رم
رم KVR16N11S8/4 4GB 1Rx8 512M x 64-Bit PC3-12800 CL11 240-Pin DIMM
سری kvr
حجم حافظه 4 گیگ
نوع حافظه DDR3
فرکانس رم 1600
پیکربندی حافظه 1 کاناله
تعداد ماژول 1
زمان تاخیر CL11
ولتاژ 1.5
تعداد پایه حافظه 240
خنک کننده Heatsink ندارد
قابلیت اورکلاک ندارد
قابلیت اصلاح خطا- ECC ندارد
چیپ ست های پشتیبانی شده unknown
پشتیبانی از XMP اینتل unknown

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “حافظه رم کینگستون مدل 4GB KVR DDR3 1600MHz”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

X